最新ニュース

2012年2月 (New!)
米ロスアンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2012へ出展致します(ブース番号2719)。

2011年12月
PLZT導波路技術の改善を進め、挿入損失を大幅に低減したPLZT光導波路の開発に成功しました。本開発成果による光スイッチは、来春からの出荷を予定しています。(報道発表)

2011年12
米サンフランシスコにて1月に開催されるPhotonics West 2012へ出展致します(ブース番号6084)。

2011年12
NEDOの省エネルギー革新技術開発事業の委託先として採択され、慶応義塾大学および産業技術総合研究所との共同研究開発を開始しました。


エピフォトニクスへようこそ

エピフォトニクスは、先端的光ネットワークへ向けて、いち早く 高機能かつ効率的な光スイッチをはじめとしたフォトニックコンポーネントおよびサブシステムを開発しています。エピフォトニクス独自のPLZT光導波路技術は、20年に及ぶ研究開発の蓄積に基づいており、従来技術 にない高速性、低消費電力性、集積化、サイズ、そして安定性などに優れた特性を提供致します。

そして、エピフォトニクスのPLZT導波路技術に基づくナノ秒の高速光スイッチ、VOA、チューナブルAWGなどの光サブシステムは、テレ コミュニケーション、データ通信、光ファイバセンシングなどの広いマーケットに貢献致します。

独自のブレークスルー技術によって、エピフォトニクスは最も高速かつ効果的なフォトニックコンポーネントおよびサブシステムをご提供致して参ります。




製品  

エピフォトニクスの埋め込み型PLZT光導波路を用いたMZ型スイッチは、ナノ秒(<5 ns〜10 ns)の超高速スイッチング、低消費電力特性、低偏波依存性を有し、高速ドライバーに実装されるため、容易にこれらの特性を得ることができます。




イベント  

2012年2月
エピフォトニクスは、米ロサンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2012へ出展致します(ブース番号2719)。



2011年12月
エピフォトニクスは、米サンフランシスコにて1月に開催されるPhotonics West 2012へ出展致します(ブース番号6084)。