ニュース&イベント

報道発表  

2011年12月 (New!)
PLZT導波路技術の改善を進め、挿入損失を大幅に低減したPLZT光導波路の開発に成功しました。本開発成果による光スイッチは、来春からの出荷を予定しています。(報道発表資料)


イベント  

2012年3月 (New!)
エピフォトニクスは、東京ビッグサイトにて3月に開催されるFOE 2012へ出展致します。



2012年2月
エピフォトニクスは、米ロサンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2012へ出展致します(ブース番号2719)。



2011年12月
エピフォトニクスは、米サンフランシスコにて1月に開催されるPhotonics West 2012へ出展致します(ブース番号6084)。


2011年2月
エピフォトニクスは、米サンディエゴにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2011へ出展し(ブース番号2727)、ナノ秒の速度を実現した4x4光スイッチやVOAアレイを展示致します。

2011年2月
ロサンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2011において、ナノ秒の速度を有する4x4 PLZT光スイッチの発表を行います。

  • (OThD3) "Nano-Second Response, Polarization Insensitive and Low-Power Consumption PLZT 4x4 Matrix Optical Switch," Keiichi Nashimoto, David Kudzuma, and Hui Han, EpiPhotonics Corp.
2010年9月
エピフォトニクスは、イタリア・トリノにて9月に開催されるECOC2010へ出展し(ブース番号550)、ナノ秒の光スイッチングが可能な4x4スイッチ、1x16スイッチなどの新製品を展示致します。

2010年7月
エピフォトニクスは、2010年7月5日-7日の間、札幌にて開催された15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)において、招待講演を行いました。
  • (8E1-1) "High-speed switching and filtering using PLZT waveguide devices," Keiichi Nashimoto, David Kudzuma, and Hui Han, EpiPhotonics Corp.
2010年2月
エピフォトニクスは、米サンディエゴにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2010へ出展し(ブース番号2917)、新規開発製品を展示致します。

2009年7月
財団法人光産業技術振興協会主催のフォトニックネットワーク新時代における産業・技術懇談会「光デバイスの新展開」(波長制御、スイッチング、高速変調)において、依頼講演を行いました。
2009年3月
電子情報通信学会2009年総合大会のシンポジウムセッション「大容量・高機能光通信時代を拓く光集積デバイス」にて依頼講演を行いました。
  • "PLZT 導波路による超高速光スイッチ"、梨本恵一(エピフォトニクス株式会社)
2008年9月
エピフォトニクスは、ベルギーのブリュッセルで開催されたECOC 2008において、PLZTスイッチに関しNICTとの共著による発表を2008年9月23日に行いました。
  • (Tu.3.D.7) "640 Gbit/s/port Optical Packet Switch Prototype with Optical Buffer using 1 x 8 PLZT Optical Switch and Parallel Pipeline Buffer Manager," Hideaki Furukawa (1), Naoya Wada (1), Hiroaki Harai (1), Naganori Takezawa (1), Keiichi Nashimoto (2), Tetsuya Miyazaki (1)
    1: Nat. Inst. of Information and Communications Technology, Japan
    2: EpiPhotonics Corp., Japan

2008年2月
エピフォトニクスは、2008年2月24日-28日の間、カリフォルニア州サンディエゴにて開催されたOFC/NFOEC 2008において、PLZTスイッチに関し、梨本恵一による招待講演、およびNICTまたは慶応義塾大学との共著による発表を行いました。

ニュース  

2011年12月 (New!)
NEDOの省エネルギー革新技術開発事業の委託先として採択され、慶応義塾大学および産業技術総合研究所との共同研究開発を開始しました。


2011年2月
グローバルブレイン株式会社を引受先として、シリーズBラウンドの資金調達を完了しました。

2009年12月
エピフォトニクスは、慶応義塾大学と共同開発した新規開発の埋め込み型PLZT光導波路による光スイッチのサンプル販売を開始致しました。


2009年8月
エピフォトニクスの開発プロジェクトは、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「研究開発型ベンチャー技術開発助成事業」に係る助成事業として採択されました。
  • 申請者名: エピフォトニクス株式会社
  • 助成事業の名称: 高効率・超高速マトリックス光スイッチの実用化開発
  • 助成事業の概要: 光ネットワークノードの低消費電力化へ向けた基盤デバイスを提供するために、PLZT光導波路技術による高効率・超高速マトリックス光スイッチの実用化開発を実施する。この開発により、コアルータから将来の家庭内ネットワークに至る光スイッチングを、低消費電力、低損失、かつ超高速に行うことが可能となる。
2008年9月
当社社長の梨本は、「PLZT薄膜光導波路技術の確立による光ネットワークへの貢献」により、電子情報通信学会よりフェローの称号を授与されました。